中国芯片战输了？美国芯片取得革命性突破，任正非的呼吁要重视

导读：据美媒报道，美国麻省理工学院MIT研究团队成功研发出一种新的芯片技术：基于二硫化钼的原子极薄晶体管。这项技术能够在芯片上使用一个原子来储存信息，利用原子尺度的波动和量子力学特性，让电子有新的运动方式。

众所周知，近几年美国为了遏制我国科技的发展，对我们技术薄弱领域不断的对我们进行“卡脖子”，试图将我们向高端芯片领域进阶的道路堵死！尤其是在半导体设备和高端芯片制造上面。先是搞定台积电切断华为麒麟芯片的代工途径，后来又修改芯片规则，限制ASML向中企出售EUV光刻机，再到“芯片四方联盟”和美日荷三方协议。

美国一轮又一轮的加码限制，让我国半导体产业的发展遭受重创，华为麒麟芯片至今依然停留在设计纸上，中芯国际因为无法获得EUV光刻机，尽管代工技术已经达到7nm工艺，但也只能完成14nm制程芯片的量产。

不过，在美国芯片禁令的促使下，我国在成熟芯片领域国产自主化取得了不错的成绩。数据显示，从2022年截止到今年3月份，我国对美芯等进口芯片需求量减少1291亿颗，国产芯片产能也已经突破日产10亿颗。

不仅如此，在量子芯片领域的技术研究，我们已经走在了世界前沿，比如打造出国内首条量子芯片生产线、无损探针台、激光退火仪等量子芯片领域的工业母机以及100%自主化的首套量子芯片工业软件“本源坤源”。这些都是在美国对我们进行严密围堵下完成的突破，但我们应该停止自嗨，因为在我们还沉浸在国产芯片小小突破自嗨之中时，美国芯片已经取得了革命性重大突破。

据美媒报道，美国麻省理工学院MIT研究团队成功研发出一种新的芯片技术：基于二硫化钼的原子极薄晶体管。这项技术能够在芯片上使用一个原子来储存信息，利用原子尺度的波动和量子力学特性，让电子有新的运动方式。

众所周知，传统芯片晶体管采用的都是硅基材料，排列方式也是水平排列，随着芯片性能的提高，排列的密度就越来越高，容易产生隧穿效应，出现这种问题很容易引起芯片发热、降频等问题。而麻省理工取得的超薄晶体管，有效的解决了芯片发热、容积大的问题，并且性能还得到极大的提升。对此，有外媒表示芯片战中国输了！

对此，许多业内人士和媒体表示，麻省理工取得的新技术，对美国芯片发展具有革命性的意义。但对我国芯片发展来说是一种更高的挑战，更是一种“耻辱”！因为引发这次芯片技术变革的是一位叫朱佳迪的华裔科学家。

事实上，华为任正非早就说过：卡我们脖子的不是别人，而是我们自己人。在当前中美科技竞争白热化阶段，我们确实该深入了解我们自己的短板，为什么中国人才会成为美国科学家，美国卡我们“脖子”的时候，我们的专家又在哪里呢？

虽然，这些年我们在半导体芯片研发、光刻机设备等核心技术上有所突破，但还远远达不到可以高枕无忧的时候。值得注意的是，在今年2月份，我国半导体领域的两位专家公开强调：“我国半导体基础研究匮乏，不牢靠。投入不足，最重要的是半导体物理人才短缺。

可能至今还有人认为任何设备技术都是可以用钱买到的，不用花费时间和巨大资源投入去搞自研，凭借现有的中高端设备和技术工艺一样可以满足当前芯片需求。殊不知，这些基础的晶体管、硅片等基础芯片技术和材料的核心专利技术都被美国等海外企业所掌控，有钱也不一定买得到。

就像我国院士倪光南说的那样，核心技术是求不来、买不来的，华为芯片被断供、中芯国际全资购买的EUV光刻机不能到货就是最好的例子。对我们来说，想要真正解决半导体被“卡脖子”的问题，归根到底还是要留住人才，正视当前自身的不足，找到问题，才能更好的去化解困难。

与其花费一半多天的时间和精力去研究五一调休换来五天假期，还不如把精力和时间用在如何攻克核心技术上。要知道，现在是科技高速发展的时期，慢一步。落后五年、挺一步，就可能落后20年、荒废5年，或许就被甩开50年了！