中国芯新突破！西安邮电立大功，美媒：我们封锁了什么？

导读：如今，第三代半导体材料正在发展得如火如荼，同时第四代半导体材料也开始受到关注，我们当然不会再错过这个机会。近日，我们第四代半导体传出重磅好消息。

半导体发展至今，一直在不断探索新的材料，现在已经发展到了第四代。然而，由于历史原因，我们在第一、二代半导体的发展中，很多方面都存在着明显的差距。

如今，第三代半导体材料正在发展得如火如荼，同时第四代半导体材料也开始受到关注，我们当然不会再错过这个机会。近日，我们第四代半导体传出重磅好消息。

首先，我们先简单了解下四代半导体材料。第一代主要是指硅、锗等半导体材料，其中硅的应用范围最广，至今还是芯片的主流材料，通常所说的芯片就是硅基芯片。

如今，台积电、三星已经实现3nm量产，还在研发2nm，已接近硅材料物理极限。

第二代主要是指化合物半导体材料，如砷化镓、磷化铟等，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍，具有高频、高速的光电性能，被广泛应用于光电子和微电子领域。

第三代主要是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，广泛应用于新能源汽车、光伏发电、5G 通讯等领域。其中，氮化镓就被用在充电头，实现手机的快充。

第四代主要是指以氧化镓、氮化铝、金刚石为代表的超宽禁带半导体材料，其中氧化镓是被国际普遍认可的重要材料，在耐压、电流、功率、损耗等维度都有其优势。

要想在半导体行业实现弯道超车，就必须注重新材料研究。近日，西安邮电大学实现了新突破，研发团队成功在 8 英寸硅片上，制备出了高质量的氧化镓外延片。

西安邮电大学的这一成果标志着我国在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。去年从2 英寸到 6 英寸，如今又突破到8 英寸，可见我国氧化镓制备技术越来越成熟。

以上消息充分说明，我国非常重视新一代半导体材料方面的研发，并且加大了相关的研发投入，还取得了一定的成果，这将使我们在未来竞争中处于领先地位。

因为摩尔定律正在接近物理极限，只有寻求新材料、新工艺和新架构等，从新的发展路径上寻找解决方案。然而，也给我们提供了在半导体行业实现弯道超车的契机。

第一、二代半导体，人家占据先发优势。如今，第三、四代半导体都在同一起跑线。

我们虽然芯片整体差距不小，但一直在不断探索，对新材料氧化镓的研发只是其中一种，还研发其他的新材料、新技术，比如量子芯片、光子芯片等其他类型的芯片。

事实证明，我国已经在新型半导体材料研发上加速前进，并且已经走在全球的前列。

对此，近期美媒发出感慨：我们封锁了什么？近年来，美方不断加码芯片限制，阻挠高端芯片出口，结果中企反而不断实现突破，华为转危为安，中芯国际不断扩建。

而英特尔、高通等美芯片企业的营收利润严重下滑，纷纷裁员、降薪等。看来比尔盖茨说对了，实施芯片限制只会促进中方芯片自给自足，美方失去大量高薪的职位。

正如近日比尔盖茨所说，美方永远无法阻止我们拥有强大芯片。因为美方越是加码限制，我们发展芯片的劲头就越大，如今连高校都开始重要研发，突破会越来越多！