半导体圈大动作！8家上市公司拟入股锐立平芯 FD-SOI能否开辟新赛道？

导读：随着下游市场需求爆发、成本优势显现，FD-SOI工艺技术逐渐受到市场的青睐。

《科创板日报》1月9日讯（记者 章银海），随着下游市场需求爆发、成本优势显现，FD-SOI工艺技术逐渐受到市场的青睐。

江丰电子、富创精密等公司近日宣布拟认购中科同芯的合伙份额，用于投资基于FD-SOI工艺的国产晶圆制造厂商锐立平芯的股权。中科同芯总规模将达4.5亿元，投资人囊括概伦电子、北方华创、安集科技等8家半导体产业链上市公司。

值得关注的是，锐立平芯发力FD-SOI工艺技术，不仅丰富了国内晶圆制造技术路线，而且未来有望绕开EUV发力先进制程逻辑芯片制造，帮助本土半导体开辟新赛道。

丰富国内晶圆制造技术路线

近日，江丰电子和富创精密先后发布了对外投资公告，拟分别出资3000万元、8000万元认购广州中科同芯半导体技术合伙企业（以下称“中科同芯”）的合伙份额。同时参与此次认购的，还有北方华创、江丰同创半导体产业基金。

此外，上述4家投资者增资入股之前，已有中科齐芯、安集科技、北京君正、南大光电、芯源微、概伦电子等7家投资机构。本次交易完成后，中科同芯总规模将达4.5亿元，投资人囊括8家半导体产业链上市公司。

据了解，中科同芯系投资平台，仅投资于锐立平芯微电子（广州）有限责任公司（以下称“锐立平芯”）的股权。锐立平芯是采用FD-SOI（即全耗尽型绝缘体上硅技术）平面工艺的先进制程晶圆代工厂，本轮融资主要用于产能建设及工艺研发。

“本次投资中科同芯，主要是希望进一步完善产业布局。公司未来会根据它的需求做相应的研发，提供靶材和零部件等材料。”江丰电子相关负责人向《科创板日报》记者表示，大家比较认可这个项目，本次参与认购的投资机构属于第二批。

资料显示，锐立平芯成立于2022年3月17日，聚焦打造FD-SOI工艺平台。截至发稿日，广州湾区半导体产业集团、澳芯集成分别持股55.56%、44.44%，由国家科技重大专项02专项技术总师、中国半导体协会集成电路分会理事长、原中国科学院微电子研究所所长叶甜春担任公司董事长兼总经理。

“从技术性能本身来讲，FD-SOI技术系统非常适合现在，尤其适用于移动通信、IOT、汽车电子等市场领域。国内厂商此时发力FD-SOI技术，不仅能够满足下游市场需求，而且进一步丰富国内技术路线。”华芯金通投资基金创始合伙人吴全告诉《科创板日报》记者，半导体产业链公司入股、相互协同，有利于助推国内FD-SOI生态体系建设。

据悉，FD-SOI和FinFET（即鳍式场效应晶体管）都是晶圆制造领域关键的先进工艺技术，但由于多种原因，FinFET占据目前市场主流位置。国际上仅格芯、三星、意法半导体等龙头厂商采用双技术路线方案，国内几乎无一家晶圆厂去发展FD-SOI工艺。

中芯国际相关人士向《科创板日报》记者坦言，目前公司没有FD-SOI技术。“晶圆制造技术架构体系有着较高的技术壁垒，厂商面临着复杂程度、高研发投入及未来走向等多重因素考验，多数厂商扎根一个架构体系。”

绕开EUV发力先进制程

上述知情人士告诉《科创板日报》记者，广州市政府对FD-SOI技术寄予厚望，期望将锐立平芯打造成世界级FD-SOI集成电路制造基地，助力粤港澳大湾区建设“国家集成电路第三极”。

据悉，叶甜春目前同时兼任广东省大湾区集成电路与系统应用研究院院长（以下称“研究院”），该研究院由中国科学院集成电路创新研究院与广州高新技术产业开发区管理委员会共同发起成立，属于省级事业单位。

研究院聚焦FD-SOI核心关键技术，构建以FD-SOI工艺、器件、材料、EDA技术为核心的FD-SOI创新生态体系。研发方向上则覆盖2X纳米FD-SOI产业技术、1X纳米及以下FDS-OI先导工艺、基于FD-SOI工艺的量子计算等领域的研究。

值得关注的是，随着后28nm时代的来临，格芯、意法半导体等厂商正加大FD-SOI技术领域的投入力度，再度与FinFET相竞争。

2022年4月，CEA（即法国原子能和替代能源委员会）、Soitec、格芯及意法半导体计划联合制定行业的下一代FD-SOI技术发展规划，促进FD-SOI在汽车、物联网和移动应用中的应用。意法半导体甚至重启了向1X纳米工艺节点的进军，在先进制程方面明确选择了FD-SOI技术路线为突破重点。

对国内而言，叶甜春曾对外直言，FD-SOI工艺可帮助本土半导体开辟新赛道，未来5-10年FD-SOI技术将代替目前主流的FinFET技术。尤其是先进光刻技术被禁后，FD-SOI技术路线能够帮助国内厂商未来绕开EUV发力先进制程逻辑芯片制造。

“在14nm被国外限制的情况下，国产厂商可以通过22nm FD-SOI工艺来升级或替代相关技术需求。且FD-SOI在设计和制造成本上具有优势，开发周期更短。”韦豪创芯高级投资经理方亮向《科创板日报》记者解释称，22nm FD-SOI工艺比14nm FinFET制程简单，光罩数减少12%左右，光罩成本减少35%，可以抵消SOI晶圆带来的成本增加。

此外，叶甜春曾提到，国产平面工艺设备自主率高达70%，有能力支撑FD-SOI技术开发。“如果只建工厂，FD-SOI做不起来。需要既把工厂建起来，同时建立起相应的集成电路设计环境、引导新一批设计公司，引导国内的装备企业、材料企业和零部件企业集聚，打造基于FD-SOI的全生态上下游，努力在集成电路领域实现科技自立自强。如果以产品发布为标志，在大家的共同努力下，预计4年形成基本的产业规模。”