“中国芯”传来好消息，南大光电突破关键技术，打破日企垄断

导读：近日，据媒体报道的信息显示，国内半导体巨头南大光电正式对外宣布，突破光刻机关键技术，自主研发的ArF光刻胶正在向多家下游主要客户稳步推进，可用于55nm、14nm等制程芯片的生产。

“国内拥有一大批优秀的半导体企业，之所以无法独自实现高端芯片的量产，主要是因为光刻机和光刻胶等被卡了脖子”。任正非曾在与C9高校校长交流时一针见血地指出了国产芯片的短板。

不少关注半导体的朋友都知道，光刻机是芯片制造的核心设备，掌握先进制程工艺的中芯国际等国内芯片制造企业，因EUV光刻机迟迟无法到货，导致在老美“芯片禁令”落地的时候，华为等部分中企因为芯片短缺而不得不调整企业发展战略。

可不少朋友不知道的是，中芯国际等国内芯片代工企业制造芯片所需的化学材料光刻胶也是受制于人。

光刻胶是芯片制造过程中的必要化学材料，晶圆上涂抹光刻胶，不但能够很好地保护衬底基座，还能够有效的提升光刻机曝光显影的效果。可以说，没有了光刻胶的支撑，光刻机就很难将集成电路图有效地投影在晶圆上，下面的蚀刻、等离子注入、封测等程序也就无从谈起。

然而，光刻胶这种制造芯片的关键化学材料，却长期被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）等日企垄断，市场份额高达85％。随着中企不断加大科研投入，日企垄断的地位被打破了。

近日，据媒体报道的信息显示，国内半导体巨头南大光电正式对外宣布，突破光刻机关键技术，自主研发的ArF光刻胶正在向多家下游主要客户稳步推进，可用于55nm、14nm等制程芯片的生产。

ArF光刻胶若想被下游芯片制造企业认可，就必须根据客户端的工艺参数进行大量适配调校，技术难度高，工作量大，不少光刻胶企业很难做到这一步，而南大光电却能够做到稳步推进，可见其技术已经达到了世界一流水平。

南大光电打破日企垄断光刻胶行业的消息一经传出，瞬间引起了科技界的广泛关注与讨论，多家美媒先后发文表示：“中国芯”距离打破美芯封锁的日子又近了一步，用不了多久，美芯就有会被中企“抛弃”，届时，美半导体企业将会遭受巨大的经济损失，甚至有可能丧失行业话语权！

美媒的这个观点并不是在吹捧“中国芯”，更不是为老美再次打压“中国芯”找借口，因为“中国芯”真的快要站起来了！

老美修改半导行业规则打压华为等中企的时候，国内芯片制造企业仅能制造出28nm纯国产芯片，而现在，经过两年的发展，我们已经实现了14nm纯国产芯片的生产，且突破了大量“卡脖子”技术。

倪光南院士曾表示，28nm、14nm等成熟制程工艺芯片完全可以满足物联网、人工智能、5G、新能源汽车等行业的发展，中国人有足够的时间发展高端“中国芯”，彻底解决芯片被卡脖子的问题。

芯片被誉为现代工业的“粮食”，是全人类智慧的结晶，仅凭一个国家的力量很难造出来，但总归还是人造的，而不是神造的，中国人完全可以凭借自己的智慧和血汗造出来，彻底打破老美的技术封锁，推动我国科技的崛起！