氮化镓领先企业“英诺赛科”完成近30亿元D轮融资

导读：英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称“英诺赛科”）近日完成近30亿元D轮融资。本轮融资由钛信资本领投，毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。

据钛信资本公众号2月16日发布的文章，英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称“英诺赛科”）近日完成近30亿元D轮融资。本轮融资由钛信资本领投，毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。

公开资料显示，英诺赛科（Innoscience）成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，旨在打造全球最大的采用全产业链模式，集设计、研发、生产和销售为一体的氮化镓（GaN）生产基地。公司采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。

据介绍，英诺赛科已成为全球第三代半导体硅基氮化镓领域龙头企业，也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。

从核心技术的维度看，英诺赛科的核心技术集中于8英寸GaN-on-Si的外延、器件技术和工艺技术。以8英寸GaN-on-Si外延为例，英诺赛科正在使用最新一代的 Aixtron MOCVD reactor G5+C 来生产8英寸GaN-on-Si晶圆。此外，英诺赛科开发了专为优化高压(HV)和低压(LV)器件的8英寸GaN-on-Si外延缓冲技术。通过内部控制外延技术，可以快速调整外延制程，以适应特定的需求或应用。

从技术储备的维度看，根据智慧芽数据显示，英诺赛科及其关联公司，目前在全球126个国家/地区中，共有超过230件专利申请。值得注意的是，上述专利中近90%为发明专利。进一步分析来看，英诺赛科当前的专利布局，主要集中于氮化镓、功率器件等相关技术领域。