第三代半导体商业化进程加速 东芝新一代SiC MOSFET即将量产 瞄准数据中心和车载需求

导读：东芝近日官网宣布，第三代SiC MOSFET（碳化硅场效应管）计划在今年8月下旬开始量产。据了解，该新产品使用全新的器件结构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。

在第三代半导体的商业化道路上，日本厂商又添了一把力。

东芝近日官网宣布，第三代SiC MOSFET（碳化硅场效应管）计划在今年8月下旬开始量产。据了解，该新产品使用全新的器件结构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。

东芝的第二代SiC MOSFET量产于2020年8月。今年一季度，东芝宣布在内部生产用于功率半导体的SiC外延片，并且投资55亿用于功率器件扩产，包括建设8英寸的碳化硅和氮化镓生产线。

东芝表示，未来这种“外延设备+外延片+器件”的IDM模式，有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。

▍SiC商业化进程加速 本土厂商靠新能源车、光伏赢得入场机会

SiC在高压、高功率应用场景下性能优越，适用于600V以上高压场景，因此电动车及光伏等热门场景对SiC的需求相当旺盛。Wolfspeed、英飞凌以及意法半导体等多家国外企业已经陆续宣布扩产。

从竞争格局上看，目前海外龙头（Wolfspeed、II-VI占据60%以上市场份额）已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家（天岳先进、天科合达、晶盛机电、露笑科技等）以小尺寸为主、向6英寸进军。

性价比是决定SiC器件大批量使用的关键，衬底制备为SiC性价比提升的核心，也是技术壁垒最高环节。

国内碳化硅衬底龙头天岳先进在近期宣布签订14亿元大单。就此，中金证券近日发布研报称，这从一定程度上体现出SiC器件渗透率呈现快速提升，产业链各环节市场规模有望迎来快速成长期，另一方面也反映出国内材料企业在N型SiC导电型衬底方面的技术实力及产能规模都在不断增强。SiC行业的落地在今年内已开始呈明显加速趋势。

中金公司则称，在新能源车、光伏发电等重点行业终端出货量快速成长，叠加SiC渗透率提升且短期内器件价格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市场规模有望迎来增速最快的三年周期。

该机构分析师进一步表示，中国相关供应商虽起步较晚，但得益于新能源车、光伏逆变器本土品牌商市场份额提升，国内企业获得了入场机会，国内SiC器件供应商有望把握本土化机会，复制硅基IGBT时代辉煌，拥有全产业一体化（材料、制造、封测）能力的企业存在着更大的竞争优势，建议关注三安光电、斯达半导、华润微等上市公司以及部分技术领先的未上市企业。