华微电子以创新谋发展，打造电子产业高地

导读：华微电子通过积极引进先进技术与标准，广泛开展产学研等技术交流与合作，建立技术研发与技术标准相结合的管理机制，注重先进技术的运用、消化和吸收，并逐步在FRD、IGBT、SBDVD-MOS等产品开发中推广运用，公司的技术实力也得到显著提高。

最近几年，华微电子通过积极引进先进技术与标准，广泛开展产学研等技术交流与合作，建立技术研发与技术标准相结合的管理机制，注重先进技术的运用、消化和吸收，并逐步在FRD、IGBT、SBDVD-MOS等产品开发中推广运用，公司的技术实力也得到显著提高。其中，1350VTrenchIG-BT项目成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺、Ti/Tin淀积与RTP退火工艺等难题。TrenchIG-BT工艺平台的开发成功，让华微电子在功率器件研制开发方面的表现更为全面。

厚积薄发，多年来，华微电子紧随市场发展，将积累多年的技术经验厚积薄发，引领技术前沿，开拓新兴领域。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，其中IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等国内领先，达到国际同行业先进水平。

华微电子建厂55年，秉承初心，以创新谋发展，一直专注于半导体功率器件领域，秉持技术引进与自主研发相结合的发展理念，逐渐成长为国内功率半导体器件领军企业。2003年，华微电子与飞利浦签约建立合资公司；2004年与仙童建立合作关系成立吉林麦吉柯半导体有限公司；2008年建立六英寸新型功率半导体器件生产线；2009年同Vishay开展MOSFET产品合作；2014年智能功率模块生产线建成投产，2017年八英寸新型电力电子器件厂房开始建设，打造国产电子电力产业高地。